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Halbleiter aus Siliziumkarbid könnten die Leistungselektronik in Batterien und Sensoren auf eine neue Stufe heben und so den Durchbruch
der Elektromobilität und die Digitalisierung in der Industrie maßgeblich unterstützen
Die Anforderungen an Leistungselektronik wachsen erheblich, sodass Halbleiterbausteine mit höherer Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit gefragt sind.
Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) setzen bezüglich Schaltspannung und -geschwindigkeit, Schaltverluste und Baugröße neue Maßstäbe. |
- 10 Mal kleiner als herkömmliche Silizium-Halbleiter
- Um bis zu 50 Prozent weniger Wärme geht im Vergleich zu gängigen Silizium-Halbleitern verloren
- Um 300 bis 500 Prozent können SiC-Transistoren die Schaltfrequenz gegenüber Silizium-Transistoren steigern
- 10 bis 15 Prozent mehr Reichweite für Elektroautos
- Einsparpotenziale:
- Wärme
- Höherer Wirkungsgrad
- Kleinere Kühlkörper
- Gewicht und Platzbedarf
Signifikante Verbesserungen im Hinblick auf Effizienz, Schaltungsaufwand, Größe und Gewicht.
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 SiC Modules
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 SiC auf der Überholspur
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